全球半导体霸主换人，2nm芯片箭在弦上
从收入的角度看，早在2017年，三星就第一次在半导体收入上超过Intel，终结了英特尔连续24年的业界头名地位。不过，从2018年末开始，半导体行业开始出现供过于求的局面，尤其是闪存、内存产品等，这影响了三星的收入，随后，Intel重新坐上头把交椅。今年以来，半导体“缺芯”困扰着各个行业，包括大家熟悉的手机终端和新能源汽车行业，对于三星、Intel这些半导体巨头企业来说，市场的波动使其芯片价格提升明显，收入增幅同样明显。根据IC Insights的统计，三星在 2021 年第二季度的半导体总销售额增长 19% 至 203 亿美元，超越英特尔再次成为全球最大的半导体供应商。最近几年三星在消费者熟悉的手机领域受到苹果和华为强有力的竞争，其各个价位的产品都受到较大冲击，外界对三星终端的竞争力存疑，但三星作为覆盖全产业链的超级集团，其竞争力体现在多个领域。类似索尼在手机终端虽然逐渐式微，但其影像传感器业务却仍旧领先业界。在可预见的未来，三星和英特尔的王者之争还将持续，你更看好谁呢?作为打造先进制程的关键技术之一，3D FinFET晶体管之外的关键半导体技术之一是Gate-All-Around（GAA）晶体管，它有望帮助扩展驱动处理器和组件的能力，使其具有更高的性能和更低的功耗。三星一直宣称其第一代GAA技术将与其3nm节点、3GAE和3GAP工艺保持一致。而随着制程的提升，FinFET也将会逐渐转为GAAFET设计。
在2019年三星电子就推出了其GAA技术的原型版本，而在几个月前的会议上的一次演讲中，三星公司表示，其3nm GAA技术的一个版本将有望在2022年部署。而就在近日三星电子举办的晶圆代工论坛上，该公司就披露了最新的工艺进展和路线图。根据路线图，三星的3nm在工艺上将会分为两个版本，其中3GAE(低功耗版)将在2022年年初投入量产，3GAP(高性能版)则会在2023年年初批量生产。对比5nm，三星新的3nm GAA可以让面积缩小35％，同功耗下性能提高30％，同性能下功耗降低50％。而在此后的2nm上，虽然并没有出现在路线图上，但是据三星代工市场策略高级副总裁MoonSoo Kang透露，2GAP工艺会在2025年量产。不过他也补充说明，这个时间暂时还是生产计划，具体的上架时间还要取决于客户他们自己的规划和部署。我们通常会在这些时间之后增加一到两个季度（3-6 个月），所以由此推导2GAP工艺实际上最终可能在2026年上市。而除了先进工艺制程之外，本次三星还推出了全新的成熟工艺制程17nm LPV工艺，意为Low Power Value。事实上17nm LPV就是28nm工艺的进化版，融合了28nm BEOL后端工序、14nm FEOL前端工序，也就是在28nm节点的基础上，加入了14nm FinFET立体晶体管，只需不高的成本，就能享受后者的能效优势。三星表示，17nm LPV工艺相比传统28nm，芯片面积可缩小43％，可以带来39％的性能提升或者49％的能效提升。
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